Samsung et SK Hynix ont investi près d’un milliard de dollars pour augmenter la production de mémoire en Chine l’année dernière.

Comment les géants coréens de la mémoire maintiennent l'accès aux équipements américains et développent leur production en Chine

Pendant la présidence de Joe Biden, les autorités américaines ont tenté d'empêcher les fabricants sud‑coréens d'étendre leurs usines en Chine. Ces sites sont essentiels pour la fourniture de puces mémoires sur le marché mondial. Pourtant Samsung et SK Hynix ont réussi à conserver l'accès aux équipements américains tout en investissant dans la modernisation de leurs installations chinoises.

1. Samsung Electronics
Indicateur Données Investissements à Xi’an (2023) 344 M$ Croissance par rapport à 2022 +67,5 % Rôle de l’usine La seule installation étrangère de Samsung pour la mémoire NAND ; assure jusqu’à 40 % du volume mondial de production Historique des investissements Après avoir investi 464 M$ en 2019, l’entreprise n’a pas réalisé de financements majeurs pendant quatre ans. En 2024, 184 M$ ont été alloués, et l’année dernière le montant a presque doublé.
Ainsi, Xi’an est devenu un centre stratégique pour Samsung, surtout compte tenu de la hausse de la demande en mémoire à l’ère de l’intelligence artificielle.

2. SK Hynix
Indicateur Données Investissements totaux en Chine (2023) plus de 663 M$ Usines – usine DRAM à Wuxi ;
– usine 3D‑NAND à Dalian, acquise chez Intel en 2022. Investissements à Wuxi (2023) doublés à 190 M$ Investissements à Dalian (2023) 293 M$ (une fois et demie plus que l’année 2024) Poids économique ≈1 trillion de wons sud‑coréens – somme significative pour la société
SK Hynix étend activement la production DRAM et 3D‑NAND afin de répondre à la demande croissante de mémoire provenant de l’IA et des services cloud.

3. Plans technologiques
Entreprise Produit prévu Où sera produit Samsung 236‑couche 3D‑NAND (transition depuis 128‑couches) Chine Samsung 400‑couche 3D‑NAND Corée du Sud SK Hynix Transfert de l’usine DRAM à Wuxi vers le quatrième cycle 10‑nm (1a) Wuxi, Chine
- Samsung prévoit lancer une mémoire 236‑couche plus avancée en Chine, ce qui lui permettra de rester compétitive malgré les restrictions technologiques du pays.

- SK Hynix envisage de mettre à jour le processus technique de l’usine DRAM de Wuxi vers 10‑nm (1a), assurant ainsi une production efficace de DDR5. L’usine représente déjà plus de 30 % du volume mondial de DRAM de la société.

Conclusion
Malgré les efforts des États-Unis pour limiter l'accès aux équipements américains des fabricants sud‑coréens, Samsung et SK Hynix continuent d'investir des centaines de millions de dollars en Chine. Cela leur permet de rester compétitifs, d'étendre la production de NAND‑mémoire et de DRAM, et de se préparer à la croissance future de la demande, notamment dans le domaine de l’intelligence artificielle.