Intel, en collaboration avec SoftBank, prévoit de lancer un remplacement de la mémoire HBM dès l'année 2029.

SoftBank et Intel prévoient de lancer sur le marché une nouvelle mémoire Z‑Angle Memory (ZAM) d'ici 2029

Comment cela se concrétise
Les entreprises responsables : SoftBank – via sa filiale Saimemory, qui s’occupera du développement et des ventes. Intel fournira les technologies de fabrication et d’emballage. Participation d’autres acteurs : Fujitsu du Japon participe au projet.

Pourquoi la Z‑Angle Memory est nécessaire
* Problèmes de la HBM existante :

- Très coûteuse et gourmande en énergie.

- À mesure que les volumes de production augmentent, le DRAM classique souffre d’un manque de ressources.

* Objectif de la Z‑AM : proposer une alternative plus économique et écoénergétique tout en conservant une haute densité de données.

Caractéristiques techniques
Paramètre | Description
---|---
Structure | Pile de plusieurs couches de puces (similaire à la HBM), mais avec des méthodes d’emballage et une architecture plus avancées.
Densité | Capacité spécifique du stack 2‑3 fois supérieure à celle de la HBM.
Consommation énergétique | Réduite d’environ deux fois par rapport à la HBM.
Coût de production | Attendu soit un maintien du niveau actuel des prix, soit une baisse jusqu’à 40 %.

Technologie d’emballage
* Intel propose la technologie NGDB (Next‑Generation Die Bonding), qui augmente l’efficacité énergétique de la mémoire ZAM par rapport à la HBM.

* Dans les prototypes, huit couches de DRAM ont déjà été placées sur le cristal de base.

Plan de lancement
1. Prototypes intermédiaires – démonstration d’ici fin mars 2028.
2. Production massive – début dans les 12 mois suivant la présentation, soit vers mi‑2029.

Ainsi, SoftBank et Intel envisagent de scaler rapidement la production de Z‑Angle Memory, offrant une option mémoire plus abordable et écoénergétique pour les futurs systèmes haute performance.