SK Hynix développe des puces LPDDR6 de 16 Go avec une bande passante de 10,7 Gb/s pour les appareils phares de la nouvelle génération

SK hynix présente le premier LPDDR6 16 Gb/s sur un processus de 10 nm « 1c »

Mémoire flash ultra-rapide 16 Gb/s (1c) – premier produit du secteur fabriqué avec la sixième génération de technologie à 10 nm. Date de démonstration CES 2026 : l’entreprise a présenté pour la première fois un puce prête et a terminé le premier test industriel. Public cible : smartphones et tablettes « AI‑on‑device » (traitement de l’intelligence artificielle directement sur l’appareil).

Indicateurs techniques clés
| Indicateur | Valeur | Comparaison |
|------------|--------|-------------|
| Vitesse de transmission | > 10,7 Gb/s (base) | +33 % par rapport à LPDDR5X |
| Efficacité énergétique | 20 % meilleure | Grâce à la structure sous‑canal et au DVFS |

- Les sous‑canaux permettent d’activer uniquement les voies de transmission nécessaires, économisant ainsi l’énergie.
- Le DVFS (Dynamic Voltage & Frequency Scaling) ajuste dynamiquement tension et fréquence en fonction de la charge.

Impact sur l’expérience utilisateur
| Charge | Comportement mémoire | Effet |
|--------|----------------------|-------|
| Haute (jeux, applications AI) | Augmente le débit, améliore les performances. | Amélioration des performances. |
| Faible (textes, réseaux sociaux) | Réduit fréquence et tension, économise la batterie. | Meilleure autonomie. |

Une amélioration de l’autonomie et du multitâche est attendue pour les appareils mobiles.

Plan de lancement
- Préparation à la production de série : première moitié 2026.
- Premières livraisons : deuxième moitié 2026.

SK hynix affirme que ce nouveau LPDDR6 élargira la gamme de DRAM pour les dispositifs mobiles orientés IA, soutenant la tendance croissante d’intégrer le calcul AI directement dans les téléphones et tablettes.