Samsung cesse la production de NAND 2‑D et transfère ses usines vers la fabrication d’HBM4.

Samsung cesse la production de NAND flash 2‑D et réoriente ses usines vers le HBM4

Cette année, Samsung a annoncé son abandon complet de la production de mémoire flash NAND 2‑D. Les lignes restantes seront redirigées vers la fabrication de mémoire HBM4, qui connaît actuellement une demande énorme en raison de la croissance rapide de l’IA.

Ce qui se passe à l’usine de Hwason
Selon *The Elec Korea*, Samsung prévoit de fermer la production de NAND 2‑D dans son site de Hwason. Au lieu d’éteindre complètement la ligne, l’entreprise la convertira pour la métallisation du DRAM – le processus de dépôt des pistes reliant les cellules mémoire à l’intérieur du puce.

- Capacité de la ligne 12 : entre 80 000 et 100 000 disques de 12 pouces par mois.

- Ces disques étaient auparavant utilisés exclusivement pour les NAND flash 2‑D, mais la technologie est devenue obsolète après l’apparition du NAND 3‑D.

Maintenant, cette ligne produira le DRAM de sixième génération (10 nm), utilisé dans le HBM4. Samsung prévoit que la capacité mensuelle totale de production de DRAM – incluant les lignes 3 et 4 à Pyongtaek – atteindra environ 200 000 disques d’ici la fin du deuxième semestre.

Pourquoi le NAND 2‑D disparaît
La mémoire NAND 2‑D est apparue pour la première fois à la fin des années 1990. Au cours des dernières années, les fabricants l’ont progressivement abandonnée au profit du NAND 3‑D plus avancé. Le NAND 3‑D présente d’importants avantages : une capacité supérieure, une meilleure fiabilité et des performances de vitesse nettement supérieures.

Selon le plan de Samsung, l’arrêt définitif de la production de NAND 2‑D est prévu pour mars. Après cela, l’usine passera entièrement à la fabrication de solutions plus modernes – y compris le HBM4, qui sont demandées dans les systèmes informatiques haute performance et les applications d’IA.